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GaAs(111)衬底上生长的GaN的极性与生长方法和生长条件的关系
半导体发光、激光和光电性质 | 更新时间：2020-08-11

    • GaAs(111)衬底上生长的GaN的极性与生长方法和生长条件的关系

    • Growth Method and Growth Condition Dependence of the Polarity of GaN Grown on the GaAs(111) Substrate

    • 发光学报   2001年22卷第4期 页码：315-318
    • 中图分类号： TN312.8

    • 收稿：2001-03-17，

      修回：2001-7-20，

      纸质出版：2001-11-30

    移动端阅览

  • Hasegawa F, Souda R . GaAs(111)衬底上生长的GaN的极性与生长方法和生长条件的关系[J]. 发光学报, 2001,22(4): 315-318 DOI：

    Hasegawa F, Souda R. Growth Method and Growth Condition Dependence of the Polarity of GaN Grown on the GaAs(111) Substrate[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2001,22(4): 315-318 DOI：

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