电子束照射LiF薄膜有源沟道的宽带光致发光

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研究论文 | 更新时间：2020-08-11

- 电子束照射LiF薄膜有源沟道的宽带光致发光
- Broad Band Photoluminescence in Active Channels Produced by Electron Beam Lithography on LiF Films
- 发光学报 2001年22卷第3期页码：294-296
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院激发态物理开放实验室
  2. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林长春130021
  3. IROE-CNR
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(69977020();69888003();59872041)();中国科学院留学基金资助项目()
- DOI：
  中图分类号： O482.3
- 收稿：2001-03-10，
  
  修回：2001-5-15，
  
  纸质出版：2001-08-30
- 稿件说明：
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郑杰, 李燕, 徐迈, 范希武, Righini G C. 电子束照射LiF薄膜有源沟道的宽带光致发光[J]. 发光学报, 2001,22(3): 294-296

ZHENG Jie, LI Yan, XU Mai, FAN X W, Righini G C. Broad Band Photoluminescence in Active Channels Produced by Electron Beam Lithography on LiF Films[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2001,22(3): 294-296
郑杰, 李燕, 徐迈, 范希武, Righini G C. 电子束照射LiF薄膜有源沟道的宽带光致发光[J]. 发光学报, 2001,22(3): 294-296 DOI：

ZHENG Jie, LI Yan, XU Mai, FAN X W, Righini G C. Broad Band Photoluminescence in Active Channels Produced by Electron Beam Lithography on LiF Films[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2001,22(3): 294-296 DOI：

用热蒸发在玻璃衬底上制备了多晶LiF薄膜

研究了由电子束照射产生的有源沟道的室温宽带光致发光特性。研究表明

室温下有源沟道F

和F

色心具有较大的光增益和折射率增量

有望实现可见波段的可调谐有源光波导器件。

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相关机构

昆明理工大学材料科学与工程学院

北京大学物理学院介观物理国家重点实验室，纳光电子前沿科学中心

北京量子信息科学研究院

中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家研究中心

中国科学院长春物理研究所

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