高N2气流下在GaAs(001)上用MBE法生长InN

秦志新; 陈志忠; 张国义

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高N₂气流下在GaAs(001)上用MBE法生长InN

研究论文 | 更新时间：2020-08-11

- 高N₂气流下在GaAs(001)上用MBE法生长InN
- Growth of InN on GaAs(001) under High N₂ Flux by MBE
- 发光学报 2001年22卷第3期页码：209-212
- 作者机构：
  
  北京大学物理系, 介观物理实验室
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN482.31
- 收稿：2001-01-05，
  
  修回：2001-7-20，
  
  纸质出版：2001-08-30
- 稿件说明：
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秦志新, 陈志忠, 张国义. 高N2气流下在GaAs(001)上用MBE法生长InN[J]. 发光学报, 2001,22(3): 209-212

QIN Zhi-xin, CHEN Zhi-zhong, ZHANG Guo-yi. Growth of InN on GaAs(001) under High N2 Flux by MBE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2001,22(3): 209-212
秦志新, 陈志忠, 张国义. 高N2气流下在GaAs(001)上用MBE法生长InN[J]. 发光学报, 2001,22(3): 209-212 DOI：

QIN Zhi-xin, CHEN Zhi-zhong, ZHANG Guo-yi. Growth of InN on GaAs(001) under High N2 Flux by MBE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2001,22(3): 209-212 DOI：

摘要

在N

气压为2.67

#215;10

-2

500℃的条件下

用MBE方法在GaAs(001)衬底上生长了InN的外延层。生长期间

In流量以3

#215;10

到24

#215;10

atoms/cm

#183;s范围内变化。用X射线衍射(XRD)和反射高能电子衍射(RHEED)法对InN膜进行了表征。发现在生长的初始阶段

所生长的InN属立方相

但随着外延层厚度的增加出现了InN层由立方相向六角相的相变。X射线倒易空间图形测量表明的在GaAs(001)衬底上生长的六角相InN其

-轴主要沿GaAs的〈111〉B方向取向。

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Growth of InN on GaAs(001) under High N2 Flux by MBE

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