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用MOVPE和RF-MBE方法极性控制生长GaN
半导体发光、激光和光电性质 | 更新时间：2020-08-11

    • 用MOVPE和RF-MBE方法极性控制生长GaN

    • Polarity-controlled Growth of GaN by MOVPE and RF-MBE

    • 发光学报   2001年22卷第4期 页码：324-328
    • 中图分类号： TN312.8

    • 收稿：2001-07-20，

      修回：2001-3-17，

      纸质出版：2001-11-30

    移动端阅览

  • Yoshikawa A, Xu K, Jia A W, Takahashi K . 用MOVPE和RF-MBE方法极性控制生长GaN[J]. 发光学报, 2001,22(4): 324-328 DOI：

    Yoshikawa A, Xu K, Jia A W, Takahashi K. Polarity-controlled Growth of GaN by MOVPE and RF-MBE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2001,22(4): 324-328 DOI：

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