In原子掺入对GaInNAs/GaAs单量子阱光致发光的影响

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研究报告 | 更新时间：2020-08-11

- In原子掺入对GaInNAs/GaAs单量子阱光致发光的影响
- Influence of In Atoms Incorporation on the Luminescence of GaInNAs/GaAs Single Quantum Well
- 发光学报 2001年22卷第2期页码：151-156
- 作者机构：
  
  1. 内蒙古民族大学
  2. 唐山师范学校
  3. 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室, 北京 100083
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： O472.3
- 收稿：2000-08-11，
  
  修回：2000-11-26，
  
  纸质出版：2001-05-30
- 稿件说明：
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王志路, 张志伟, 孙宝权. In原子掺入对GaInNAs/GaAs单量子阱光致发光的影响[J]. 发光学报, 2001,22(2): 151-156

WANG Zhi-lu, ZHANG Zhi-wei, SUN Bao-quan. Influence of In Atoms Incorporation on the Luminescence of GaInNAs/GaAs Single Quantum Well[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2001,22(2): 151-156
王志路, 张志伟, 孙宝权. In原子掺入对GaInNAs/GaAs单量子阱光致发光的影响[J]. 发光学报, 2001,22(2): 151-156 DOI：

WANG Zhi-lu, ZHANG Zhi-wei, SUN Bao-quan. Influence of In Atoms Incorporation on the Luminescence of GaInNAs/GaAs Single Quantum Well[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2001,22(2): 151-156 DOI：

研究了In掺入GaNAs/GaAs单量子阱对其带间和低于带边发光性质的影响。实验结果显示

随着In浓度的增加

GaInNAs/GaAs量子阱带间发光得到改善

低于带边的发光强度大大地减小。这是由于GaInNAs合金生长在GaAs衬底上

为补偿In和N原子尺度的差异

N原子更倾向于与In原子形成共价健。GaInNAs/GaAs单量子阱的光调制光谱证实了高能端发光峰来自本征的带边发光。

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