Photoluminescence Properties of ZnO Films Deposited on Si Substrates
发光学报2001年22卷第2期 页码:157-160
作者机构:
1. r Experimental Physikder Universitat Hamburg
2. 中国科学技术大学国家同步辐射实验室, 安徽合肥 230029
3. 中国科学技术大学国家同步辐射实验室, 安徽合肥 230029
4. Institut f
作者简介:
基金信息:
国家自然基金资助项目(19874057及59872037)()
DOI:
中图分类号:O482.3
收稿:2000-08-11,
修回:2000-11-27,
纸质出版:2001-05-30
稿件说明:
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张国斌, 施朝淑, 韩正甫, 石军岩, 林碧霞, Kirm M, Zimmerer G. Si基沉积ZnO薄膜的光谱特性[J]. 发光学报, 2001,22(2): 157-160
ZHANG Guo-bin, SHI Chao-shu, HAN Zheng-fu, SHI Jun-yan, LIN Bi-xia, Kirm M, Zimmerer G. Photoluminescence Properties of ZnO Films Deposited on Si Substrates[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2001,22(2): 157-160
张国斌, 施朝淑, 韩正甫, 石军岩, 林碧霞, Kirm M, Zimmerer G. Si基沉积ZnO薄膜的光谱特性[J]. 发光学报, 2001,22(2): 157-160DOI:
ZHANG Guo-bin, SHI Chao-shu, HAN Zheng-fu, SHI Jun-yan, LIN Bi-xia, Kirm M, Zimmerer G. Photoluminescence Properties of ZnO Films Deposited on Si Substrates[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2001,22(2): 157-160DOI: