GdVO4：Eu3+发光的温度效应

刘波; 施朝淑; 张庆礼

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GdVO₄：Eu³⁺发光的温度效应

稀土发光材料 | 更新时间：2020-08-11

- GdVO₄：Eu³⁺发光的温度效应
- Temperature Effect of GdVO₄:Eu³⁺ Luminescence
- 发光学报 2001年22卷第2期页码：111-114
- 作者机构：
  
  1. 中国科学技术大学物理系, 安徽合肥230026
  2. 中国科学技术大学国家同步辐射实验室
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助项目(59732040和19774053)()
- DOI：
  中图分类号： O482.31
- 收稿：2000-03-22，
  
  修回：2000-12-5，
  
  纸质出版：2001-05-30
- 稿件说明：
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刘波, 施朝淑, 张庆礼. GdVO4：Eu3+发光的温度效应[J]. 发光学报, 2001,22(2): 111-114

LIU Bo, SHI Chao-shu, ZHANG Qing-li. Temperature Effect of GdVO4:Eu3+ Luminescence[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2001,22(2): 111-114
刘波, 施朝淑, 张庆礼. GdVO4：Eu3+发光的温度效应[J]. 发光学报, 2001,22(2): 111-114 DOI：

LIU Bo, SHI Chao-shu, ZHANG Qing-li. Temperature Effect of GdVO4:Eu3+ Luminescence[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2001,22(2): 111-114 DOI：

摘要

研究了GdVO

:Eu

在高压汞灯的313和365nm激发下室温以上(300～600K)发光的温度依赖关系。发现来自

的发射强度随温度的升高而显著增强

直到600K也未见饱和。其中

rarr;

的619nm发射在600K温度时的强度是室温下的20多倍。我们认为Eu

的电荷迁移态作为中间态是造成其发光增强的根本原因。激发过程中

先激发到Eu

本身的

(J=1

hellip;)激发态

然后在温度的作用下上升到电荷迁移态(CTS)

温度升高时传递几率显著增强

并按

依次使被激发的电子转入CTS态

从电荷迁移态直接弛豫传递给

态

由于

态电子数不断增多

致使来自5D0的发射随温度升高而增强。

Abstract

关键词

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