三元合金Ga0.52In0.48P的喇曼散射谱

高玉琳; 吕毅军; 郑健生; 李志锋; 蔡炜颖; 王晓光

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三元合金Ga_0.52In_0.48P的喇曼散射谱

研究报告 | 更新时间：2020-08-11

- 三元合金Ga_0.52In_0.48P的喇曼散射谱
- Raman Spectra of Ga_xIn_1-xP(x=0.52)
- 发光学报 2001年22卷第2期页码：107-110
- 作者机构：
  
  1. 厦门大学物理系
  2. 中国科学院上海技术物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(69776011)();福建省自然科学基金();上海技术物理所红外物理国家重点实验室基金资助项目()
- DOI：
  中图分类号： O472.3
- 收稿：2000-05-30，
  
  修回：2000-10-31，
  
  纸质出版：2001-05-30
- 稿件说明：
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高玉琳, 吕毅军, 郑健生, 李志锋, 蔡炜颖, 王晓光. 三元合金Ga0.52In0.48P的喇曼散射谱[J]. 发光学报, 2001,22(2): 107-110

GAO Yu-lin, LÜ Yi-jun, ZHENG Jian-sheng, LI Zhi-feng, CAI Wei-ying, WANG Xiao-guang. Raman Spectra of GaxIn1-xP(x=0.52)[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2001,22(2): 107-110
高玉琳, 吕毅军, 郑健生, 李志锋, 蔡炜颖, 王晓光. 三元合金Ga0.52In0.48P的喇曼散射谱[J]. 发光学报, 2001,22(2): 107-110 DOI：

GAO Yu-lin, LÜ Yi-jun, ZHENG Jian-sheng, LI Zhi-feng, CAI Wei-ying, WANG Xiao-guang. Raman Spectra of GaxIn1-xP(x=0.52)[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2001,22(2): 107-110 DOI：

摘要

采用室温下微区Raman散射方法

观测到了GaInP

的LO双模行为和禁戒的TO模

由于晶格有序导致晶体对称性从

降低为C

从而使禁戒的TO模变为Raman活性。在所有的样品中都观测到了由晶格无序激活的DALA模。在有序样品中

除观测到了二级Raman散射峰LO

+LO

以外

还观测到了由超晶格效应所导致的FLA折叠模和LO模的分裂。对LO模峰谷比

的分析表明

随着晶格有序度的增加

值减小。这是因为:一方面主要是由于禁戒的TO模变为Raman活性所引起的

另一方面

还可能有LO

模和LO

模分裂的贡献。在实验上

可以用

值或FLA的强度来表示样品的有序度。

Abstract

关键词

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