场发射平板显示高低压电平转换电路

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场发射平板显示高低压电平转换电路

研究论文 | 更新时间：2020-08-11

- 场发射平板显示高低压电平转换电路
- A Low-high Voltage Level Shifter Circuit for FED Display Driver IC
- 发光学报 2006年27卷第5期页码：822-826
- 作者机构：
  
  中国科学院, 微电子研究所, 北京, 100029
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CB314705)()
- DOI：
  中图分类号： TN873.95;TN492
- 收稿：2004-08-26，
  
  修回：2005-6-18，
  
  纸质出版：2006-09-20
- 稿件说明：
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宋李梅, 李桦, 杜寰, 夏洋. 场发射平板显示高低压电平转换电路[J]. 发光学报, 2006,27(5): 822-826

SONG Li-mei, LI Hua, DU Huan, XIA Yang. A Low-high Voltage Level Shifter Circuit for FED Display Driver IC[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(5): 822-826
宋李梅, 李桦, 杜寰, 夏洋. 场发射平板显示高低压电平转换电路[J]. 发光学报, 2006,27(5): 822-826 DOI：

SONG Li-mei, LI Hua, DU Huan, XIA Yang. A Low-high Voltage Level Shifter Circuit for FED Display Driver IC[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(5): 822-826 DOI：

提出适用于场发射高压驱动的高低压电平转换电路设计及性能分析。通过模拟

此电路可以在100V的驱动工作电压以及10mA的驱动电流条件下安全工作

最高工作频率可达20MH

。在50pF输出负载下上升时间和下降时间分别为14

25ns。同时分析了高压CMOS器件与0.8μm标准CMOS工艺兼容过程中的厚栅氧化对于低压器件及高压N管的阈值特性影响。

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