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厦门大学物理系, 半导体光子学研究中心
收稿:2005-12-20,
修回:2006-3-3,
纸质出版:2006-07-20
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徐群和, 康俊勇. ZnO中Li相关缺陷结构性质[J]. 发光学报, 2006,27(4): 509-513
XU Qun-he, KANG Jun-yong. Structure Properties of Li-related Defects in ZnO[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(4): 509-513
徐群和, 康俊勇. ZnO中Li相关缺陷结构性质[J]. 发光学报, 2006,27(4): 509-513 DOI:
XU Qun-he, KANG Jun-yong. Structure Properties of Li-related Defects in ZnO[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(4): 509-513 DOI:
采用第一性原理量子力学分子动力学方法
基于32个原子的超原胞模型
计算了ZnO中各种Li相关缺陷的有关几何和电子结构。通过不同模型的计算分析表明
ZnO中Li杂质在间隙位上的总能比替位Zn格位的能量更低
但却形成施主能级。进一步通过构造Li替Zn位Li
Zn
与不同本征缺陷所构成的复合体结构
并对模拟计算的结果进行分析比较得出
O反位O
可与Li
形成比Li间隙位更稳定的复合体
可高溶解度地稳定存在于ZnO中
并在禁带中产生受主能级
是较好的p型导电性候选缺陷。
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