紫外激光晶体Ce3+：LiSrAlF6发光温度依赖中的陷阱效应

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紫外激光晶体Ce³⁺：LiSrAlF₆发光温度依赖中的陷阱效应

稀土发光材料 | 更新时间：2020-08-11

- 紫外激光晶体Ce³⁺：LiSrAlF₆发光温度依赖中的陷阱效应
- Traps Effect on Temperature Dependence of Luminescent Intensity of Ce³⁺：LiSrAlF₆ UV Laser Crystal
- 发光学报 2001年22卷第3期页码：258-262
- 作者机构：
  
  1. 中国科学技术大学物理系
  2. 中国科学技术大学, 国家同步辐射实验室
  3. 中国科学院安徽光学精密机械研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助项目(59732040)()
- DOI：
  中图分类号： O482.31
- 收稿：2000-06-18，
  
  修回：2001-1-21，
  
  纸质出版：2001-08-30
- 稿件说明：
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魏亚光, 施朝淑, 周东方, 陶德节, 汤洪高. 紫外激光晶体Ce3+：LiSrAlF6发光温度依赖中的陷阱效应[J]. 发光学报, 2001,22(3): 258-262

WEI Ya-guang, SHI Chao-shu, ZHOU Dong-fang, TAO De-jie, TANG Hong-gao. Traps Effect on Temperature Dependence of Luminescent Intensity of Ce3+：LiSrAlF6 UV Laser Crystal[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2001,22(3): 258-262
魏亚光, 施朝淑, 周东方, 陶德节, 汤洪高. 紫外激光晶体Ce3+：LiSrAlF6发光温度依赖中的陷阱效应[J]. 发光学报, 2001,22(3): 258-262 DOI：

WEI Ya-guang, SHI Chao-shu, ZHOU Dong-fang, TAO De-jie, TANG Hong-gao. Traps Effect on Temperature Dependence of Luminescent Intensity of Ce3+：LiSrAlF6 UV Laser Crystal[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2001,22(3): 258-262 DOI：

在105～300K温区内

测量了X射线激发下Ce

:LiSrAlF

晶体发光强度的温度依赖(IT)

在237～300K温区内发光强度有特殊的增强结构

结合105～300K温区内热释光的测量

证实这种发光强度的增强效应是由于陷阱参与发光过程所导致。通过对热释光曲线的进一步分析

得到深度分别为051eV和055eV的陷阱能级

这些陷阱主要源于Ce

取代Sr

所形成的杂质缺陷和基质LiSrAlF

中的F

空位以及Li

空位所形成的本征缺陷。

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