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有机源载气对MOCVD生长InGaN薄膜的影响研究
研究论文 | 更新时间：2020-08-11

    • 有机源载气对MOCVD生长InGaN薄膜的影响研究

    • Influence of Carrier Gas in Metalorganic Precursors on the MOCVD Growth of InGaN Films

    • 发光学报   2001年22卷第3期 页码：213-217
    • 中图分类号： O472.3

    • 收稿：2000-07-17，

      修回：2000-10-31，

      纸质出版：2001-08-30

    移动端阅览

  • 王立, 李述体, 彭学新, 熊传兵, 李鹏, 江凤益. 有机源载气对MOCVD生长InGaN薄膜的影响研究[J]. 发光学报, 2001,22(3): 213-217 DOI：

    WANG Li, LI Shu-ti, PENG Xue-xin, XIONG Chuan-bing, JANG Feng-yi. Influence of Carrier Gas in Metalorganic Precursors on the MOCVD Growth of InGaN Films[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2001,22(3): 213-217 DOI：

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李万程

相关机构

大连理工大学 物理与光电工程学院
吉林大学电子与信息工程学院 集成光电子学国家重点联合实验室
烟台大学 光电信息科学技术学院
西安交通大学, 应用物理系
第二炮兵工程学院, 物理教研室
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