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电子横向运动对共振隧穿的影响
研究报告 | 更新时间：2020-08-11

    • 电子横向运动对共振隧穿的影响

    • Influence of Electron Transverse Motion on Resonant Tunneling

    • 发光学报   2001年22卷第1期 页码：33-36
    • 中图分类号： O471.3

    • 收稿：2000-08-11，

      修回：2000-11-13，

      纸质出版：2001-02-28

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  • 宫箭, 班士良. 电子横向运动对共振隧穿的影响[J]. 发光学报, 2001,22(1): 33-36 DOI：

    GONG Jian, BAN Shi-liang. Influence of Electron Transverse Motion on Resonant Tunneling[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2001,22(1): 33-36 DOI：

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相关机构

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山东大学 化学与化学工程学院
山东大学(威海) 机电与信息工程学院
中国科学院 上海技术物理研究所
济南市半导体元件实验所
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