您当前的位置：
首页 >
文章列表页 >
使用TEGa和TMGa为镓源MOCVD生长GaN的研究
研究报告 | 更新时间：2020-08-11

    • 使用TEGa和TMGa为镓源MOCVD生长GaN的研究

    • Growth of GaN with TEGa and TMGa by MOCVD

    • 发光学报   2001年22卷第1期 页码：75-79
    • 中图分类号： O473

    • 收稿：2000-05-16，

      修回：2000-7-17，

      纸质出版：2001-02-28

    移动端阅览

  • 莫春兰, 彭学新, 熊传兵, 王立, 李鹏, 姚冬敏, 辛勇, 江凤益. 使用TEGa和TMGa为镓源MOCVD生长GaN的研究[J]. 发光学报, 2001,22(1): 75-79 DOI：

    MO Chun-lan, PENG Xue-xin, XIONG Chuan-bing, WANG Li, LI Peng, YAO Dong-min, XIN Yong, JIANG Feng-yi. Growth of GaN with TEGa and TMGa by MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2001,22(1): 75-79 DOI：

  •  
  •  
icon
试读结束，您可以激活您的VIP账号继续阅读。
去激活 >
icon
试读结束，您可以通过登录账户，到个人中心，购买VIP会员阅读全文。
已是VIP会员？
去登录 >

0

浏览量

584

下载量

0

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

Si(111)衬底切偏角对GaN基LED外延膜的影响
AlN缓冲层对Si基GaN外延薄膜性质的影响
国产SiC衬底上利用AlN缓冲层生长高质量GaN外延薄膜
MOCVD生长的GaN单晶膜透射光谱研究
MOCVD生长GaN：Si单晶膜的研究

相关作者

武芹
全知觉
王立
刘文
张建立
江风益
陈翔
邢艳辉

相关机构

南昌大学 国家硅基LED工程技术研究中心
南昌大学 材料科学与工程学院
北京工业大学电子信息与控制工程学院 光电子技术省部共建教育部重点实验室
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
北京凝聚态物理国家实验室, 中国科学院物理研究所 清洁能源实验室
0