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半导体量子点中弱耦合激子的性质
研究论文 | 更新时间：2020-08-11

    • 半导体量子点中弱耦合激子的性质

    • Properties of Weak-coupling Exciton in Polar Semiconductor Quantum Dot

    • 发光学报   2006年27卷第4期 页码：457-462
    • 中图分类号： O472.3;O469

    • 收稿：2005-08-20，

      修回：2005-11-24，

      纸质出版：2006-07-20

    移动端阅览

  • 李志新, 肖景林. 半导体量子点中弱耦合激子的性质[J]. 发光学报, 2006,27(4): 457-462 DOI：

    LI Zhi-xin, XIAO Jing-lin. Properties of Weak-coupling Exciton in Polar Semiconductor Quantum Dot[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(4): 457-462 DOI：

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