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n-ZnO/i-MgO/p-GaN异质结发光二极管
研究论文 | 更新时间：2020-08-11

    • n-ZnO/i-MgO/p-GaN异质结发光二极管

    • n-ZnO/i-MgO/p-GaN Heterojunction Light-emitting Diodes

    • 发光学报   2006年27卷第4期 页码：499-502
    • 中图分类号： TN383.1;O482.31

    • 收稿：2005-12-20，

      修回：2006-3-25，

      纸质出版：2006-07-20

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  • 矫淑杰, 吕有明, 申德振, 张振中, 李炳辉, 张吉英, 赵东旭, 姚斌, 范希武. n-ZnO/i-MgO/p-GaN异质结发光二极管[J]. 发光学报, 2006,27(4): 499-502 DOI：

    JIAO Shu-jie, LÜ You-ming, SHEN De-zhen, ZHANG Zhen-zhong, LI Bing-hui, ZHANG Ji-ying, ZHAO Dong-xu, YAO Bin, FAN X W. n-ZnO/i-MgO/p-GaN Heterojunction Light-emitting Diodes[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(4): 499-502 DOI：

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吉林大学 电子科学与工程学院， 集成光电子学国家重点联合实验室
南京理工大学 材料科学与工程学院
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