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内蒙古民族大学, 物理与机电学院
收稿:2005-11-02,
修回:2006-3-11,
纸质出版:2006-11-20
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王秀清, 肖景林. 极性半导体膜中的束缚极化子[J]. 发光学报, 2006,27(6): 843-848
WANG Xiu-qing, XIAO Jing-lin. The Bound Polaron in a Polar Semiconductor Slab[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(6): 843-848
王秀清, 肖景林. 极性半导体膜中的束缚极化子[J]. 发光学报, 2006,27(6): 843-848 DOI:
WANG Xiu-qing, XIAO Jing-lin. The Bound Polaron in a Polar Semiconductor Slab[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(6): 843-848 DOI:
采用线性组合算符法和幺正变换方法
研究极性晶体膜中束缚极化子的基态能量、自陷能随膜厚
d
的变化关系.得出束缚极化子的自陷能由两部分组成:第一部分是由于电子-体LO声子相互作用所引起的(
E
e-LO
tr
)极化子效应;第二部分则是电子-SO声子相互作用引起的.后者又包含两部分
分别是电子与极性膜中两支表面声子相互作用的贡献(
e-SO
(+)
(-)).通过对KCl半导体膜的数值计算表明
随膜厚d的增加而增加;但是
、极化子的振动频率以及电子-声子相互作用所产生的总自陷能
e-ph
随膜厚
的增加而减少
当膜厚大于5nm时
总自陷能
趋于一稳定值.另外
由于束缚势的存在
使极化子的振动频率增大
这主要是由于束缚势的存在
使电子-声子间的相互作用增强
极化子效应增大而引起的.
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CSCD
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