您当前的位置：
首页 >
文章列表页 >
磁约束电感耦合等离子体增强溅射沉积Co掺杂ZnO薄膜及其光学特性
研究论文 | 更新时间：2020-08-11

    • 磁约束电感耦合等离子体增强溅射沉积Co掺杂ZnO薄膜及其光学特性

    • Optical Properties of Co-doped ZnO Film Prepared by Sputtering Deposition in a Magnetic Inductively Coupled Plasma

    • 发光学报   2006年27卷第6期 页码：953-957
    • 中图分类号： O472.3;O482.31

    • 收稿：2005-12-20，

      修回：2006-5-9，

      纸质出版：2006-11-20

    移动端阅览

  • 刘学超, 施尔畏, 陈之战, 张华伟, 宋力昕. 磁约束电感耦合等离子体增强溅射沉积Co掺杂ZnO薄膜及其光学特性[J]. 发光学报, 2006,27(6): 953-957 DOI：

    LIU Xue-chao, SHI Er-wei, CHEN Zhi-zhan, ZHANG Hua-wei, SONG Li-xin. Optical Properties of Co-doped ZnO Film Prepared by Sputtering Deposition in a Magnetic Inductively Coupled Plasma[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(6): 953-957 DOI：

  •  
  •  
icon
试读结束，您可以激活您的VIP账号继续阅读。
去激活 >
icon
试读结束，您可以通过登录账户，到个人中心，购买VIP会员阅读全文。
已是VIP会员？
去登录 >

0

浏览量

286

下载量

3

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

配体及溶剂调控的CsPbBr3/Cs4PbBr6/CsPb2Br5相变及其光学特性
退火温度对旋涂法制备SnO2薄膜性能的影响
电子束退火法制备Li-N共掺杂多晶ZnO薄膜
射频磁控溅射法制备SnS2薄膜结构和光学特性的研究
氢退火对LPCVD生长的ZnO薄膜光学和电学性能的影响

相关作者

郭衡
石林林
沈涛
张松
朱益志
张旭
刘贤哲
袁炜健

相关机构

毕节市产业科技创新发展中心
中国科学院 光电技术研究所， 微细加工光学技术国家重点实验室
太原理工大学 物理与光电工程学院
太原工业学院 理学系
华南理工大学 材料科学与工程学院, 高分子光电材料与器件研究所, 发光材料与器件国家重点实验室
0