ZnO纳米线的合成与生长机理

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ZnO纳米线的合成与生长机理

研究论文 | 更新时间：2020-08-11

- ZnO纳米线的合成与生长机理
- Synthesis and Growth Mechanism of ZnO Nanowires
- 发光学报 2006年27卷第6期页码：991-994
- 作者机构：
  
  电子科技大学, 微电子与固体电子学院
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(60390073)();预研基金(ZJ0508)资助项目()
- DOI：
  中图分类号： O471.5
- 收稿：2005-12-20，
  
  修回：2006-3-1，
  
  纸质出版：2006-11-20
- 稿件说明：
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程和, 李燕, 王锦春, 邓宏. ZnO纳米线的合成与生长机理[J]. 发光学报, 2006,27(6): 991-994

CHENG He, LI Yan, WANG Jin-chun, DENG Hong. Synthesis and Growth Mechanism of ZnO Nanowires[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(6): 991-994
程和, 李燕, 王锦春, 邓宏. ZnO纳米线的合成与生长机理[J]. 发光学报, 2006,27(6): 991-994 DOI：

CHENG He, LI Yan, WANG Jin-chun, DENG Hong. Synthesis and Growth Mechanism of ZnO Nanowires[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(6): 991-994 DOI：

采用化学气相沉积系统制备ZnO纳米线

以覆盖一层约5nm厚的Ag薄膜的单晶Si(001)为衬底

纳米线的生长遵循气-液-固(VLS)机理。对得到的样品采用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)进行晶体结构和形貌的表征。XRD结果表明衬底温度在600~700℃时生长的ZnO纳米线具有六方结构和统一的取向。通过扫描电子显微镜分析

比较了生长温度对纳米线直径和长度的影响。实验表明我们可以通过催化剂和温度来实现ZnO纳米线生长的可控。与传统的VLS生长方式不同的是在我们制备的ZnO纳米线顶端并没有看到催化剂颗粒

表明纳米线的生长方式是底部生长

我们对其生长机理进行了研究。

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相关机构

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鲁东大学物理与光电工程学院

福州大学能源与环境光催化国家重点实验室

青岛科技大学材料科学与工程学院

天津理工大学材料物理研究所, 光电器件与显示材料教育部重点实验室

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