n(Zn)：n(Ga)比值对合成ZnGa2O4结构及光致发光性能的影响

李春潮; 张学英; 吴钢; 管督

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n(Zn)：n(Ga)比值对合成ZnGa₂O₄结构及光致发光性能的影响

材料合成及性能 | 更新时间：2020-08-11

- n(Zn)：n(Ga)比值对合成ZnGa₂O₄结构及光致发光性能的影响
- Influence of the Ratio of n(Zn)：n(Ga) on the Structure and the Photoluminescence Properties of ZnGa₂O₄
- 发光学报 2006年27卷第6期页码：963-966
- 作者机构：
  
  中国铝业河南分公司研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： O482.31
- 收稿：2006-04-06，
  
  修回：2006-5-15，
  
  纸质出版：2006-11-20
- 稿件说明：
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李春潮, 张学英, 吴钢, 管督. n(Zn)：n(Ga)比值对合成ZnGa2O4结构及光致发光性能的影响[J]. 发光学报, 2006,27(6): 963-966

LI Chun-chao, ZHANG Xue-ying, WU Gang, GUAN Du. Influence of the Ratio of n(Zn)：n(Ga) on the Structure and the Photoluminescence Properties of ZnGa2O4[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(6): 963-966
李春潮, 张学英, 吴钢, 管督. n(Zn)：n(Ga)比值对合成ZnGa2O4结构及光致发光性能的影响[J]. 发光学报, 2006,27(6): 963-966 DOI：

LI Chun-chao, ZHANG Xue-ying, WU Gang, GUAN Du. Influence of the Ratio of n(Zn)：n(Ga) on the Structure and the Photoluminescence Properties of ZnGa2O4[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(6): 963-966 DOI：

摘要

以ZnO和HGaO

为原料

用不同配比合成出系列ZnGa

并对其晶体结构和发光性能进行了研究。用荧光分光光度计检测了ZnGa

的激发和发射光谱

用X射线衍射仪检测了ZnGa

的衍射图谱

用热重差热仪绘制了TGA-DAT曲线。对检测结果分析认为:1.ZnGa

属于尖晶石结构

稍过量的Zn或Ga能进入ZnGa

结构中

并对ZnGa

的晶格常数产生一定影响。2.ZnGa

存在两个自激发光中心

当Ga稍过量时

自激发光中心是四面体镓氧键[T

(GaO)

]

最大激发波长约248nm

最大发射波长约367nm;当Zn稍过量时

自激发光中心是八面体镓氧键[O

(GaO)

]

最大激发波长约270nm

最大发射波长约441nm。当n(Zn):n(Ga)在理论值附近

激发和发射光强度最大

而且光谱峰位发生了红移。3.ZnGa

的热稳定性能非常好。上述结论对研究ZnGa

基质或掺杂的发光材料具有一定意义。

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