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ZnS作为空穴缓冲层的新型有机发光二极管
研究论文 | 更新时间：2020-08-11

    • ZnS作为空穴缓冲层的新型有机发光二极管

    • Organic Light-emitting Diodes with Nano-ZnS Thin Films as Hole Buffer Layer by RF Magnetron Sputtering

    • 发光学报   2006年27卷第6期 页码：877-881
    • 中图分类号： TN383.1;TN873.3

    • 收稿：2005-11-10，

      修回：2006-1-17，

      纸质出版：2006-11-20

    移动端阅览

  • 仲飞, 叶勤, 刘彭义, 翟琳, 吴敬, 张靖垒. ZnS作为空穴缓冲层的新型有机发光二极管[J]. 发光学报, 2006,27(6): 877-881 DOI：

    ZHONG Fei, YE Qin, LIU Peng-yi, ZHAI Lin, WU Jing, ZHANG Jing-lei. Organic Light-emitting Diodes with Nano-ZnS Thin Films as Hole Buffer Layer by RF Magnetron Sputtering[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(6): 877-881 DOI：

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