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华南师范大学信息光电子科技学院, 光电子材料与技术研究所, 广东, 广州, 510631
收稿:2006-03-24,
修回:2006-4-18,
纸质出版:2006-11-20
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张建中, 郭志友, 尉然. 基于硅波导的喇曼光放大器[J]. 发光学报, 2006,27(6): 1007-1010
ZHANG Jian-zhong, GUO Zhi-you, WEI Ran. A Raman Laser Amplifier Based on Silicon Waveguide[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(6): 1007-1010
张建中, 郭志友, 尉然. 基于硅波导的喇曼光放大器[J]. 发光学报, 2006,27(6): 1007-1010 DOI:
ZHANG Jian-zhong, GUO Zhi-you, WEI Ran. A Raman Laser Amplifier Based on Silicon Waveguide[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(6): 1007-1010 DOI:
在硅波导上添加反向偏压的PIN结构
当波导产生受激喇曼散射时
可以将波导中双光子吸收(TPA)产生的光生自由载流子扫出波导
降低了波导的非线性损失
极大地提高了硅波导中泵浦光对信号光的喇曼增益。为了应用已经非常成熟的硅工艺
并且应用硅波导使器件小型化
根据法布里-帕罗(F-P)腔和行波放大器理论
在硅波导两端的解理面蒸镀增透膜
应用这种波导的喇曼效应设计了一种光放大器
即基于硅波导的喇曼光放大器。建立了计算放大器增益的方程
给出了不同波导长度和输入功率情况下的放大器增益
得出适当增加波导长度和泵浦光功率可以得到较高喇曼增益的结论。基于硅的光放大器有较高的饱和功率且没有泵浦源的限制
通过调整泵浦激光的波长可以放大不同波长的信号光。
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