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1. 厦门大学, 物理系, 福建, 厦门, 361005
2. 厦门大学, 半导体光子学研究中心
收稿:2005-12-12,
修回:2006-3-12,
纸质出版:2006-09-20
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张华, 冯夏, 康俊勇. 硅酸锌的电子结构[J]. 发光学报, 2006,27(5): 750-754
ZHANG Hua, FENG Xia, KANG Jun-yong. Electronic Structures of Zn<sub>2</sub>SiO<sub>4</sub>[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(5): 750-754
张华, 冯夏, 康俊勇. 硅酸锌的电子结构[J]. 发光学报, 2006,27(5): 750-754 DOI:
ZHANG Hua, FENG Xia, KANG Jun-yong. Electronic Structures of Zn<sub>2</sub>SiO<sub>4</sub>[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(5): 750-754 DOI:
采用局域密度泛函理论和第一性原理的方法
计算四方结构和六角结构硅酸锌的平衡晶格常数、电子态密度和能带结构。计算结果表明
四方结构硅酸锌的平衡晶格常数为0.71048nm
六角结构为1.40877nm
两者与实验值的误差均在1%左右。态密度图显示
主要电子态分布在-7.18~0.00eV和2.79~10.50eV两个能量区域;同时
不同元素电子对导带和价带有不同贡献
其中氧的p态电子对价带顶贡献最大
锌的s态电子对导带底贡献最大。能带计算表明
四方与六角结构硅酸锌均为直接带隙半导体
禁带宽度分别为2.66
2.89eV。
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