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电子科技大学, 光电信息学院
收稿:2004-08-25,
修回:2004-12-13,
纸质出版:2006-03-20
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陈文彬, 刁庚秀, 吴琦. 基于Alq<sub>3</sub>的有机发光器件的发光特性[J]. 发光学报, 2006,27(2): 243-248
CHEN Wen-bin, DIAO Geng-xiu, WU Qi. Luminescence Properties of Alq<sub>3</sub>-based OLEDs[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(2): 243-248
陈文彬, 刁庚秀, 吴琦. 基于Alq<sub>3</sub>的有机发光器件的发光特性[J]. 发光学报, 2006,27(2): 243-248 DOI:
CHEN Wen-bin, DIAO Geng-xiu, WU Qi. Luminescence Properties of Alq<sub>3</sub>-based OLEDs[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(2): 243-248 DOI:
以Alq
3
作为发光层
在OLED串联型制作系统上成功制备出ITO/TPD/Alq
/LiF/Al结构的有机发光器件
并建立了一套OLED电流(
J
)、电压(
V
)、亮度(
B
)自动测试系统
在氮气和空气环境下测试并分析了OLED的发光特性。结果表明
基于Alq
的双层OLED的正向
J-V
特性可以用陷阱电荷限制流来描述;反向工作时
低压下的反偏电流可能是针孔产生的漏电流
高压下反偏OLED的
特性应满足F-N隧穿机制。随着电流进入快速增长阶段
B-J
曲线近似地呈线性关系;在低场下
发光效率随电压升高而增大
在高场下
发光效率随电压升高而减小。实验中
还观察到了在电压
=4V左右时
器件具有明显的负阻特性(NDR)
进一步的分析表明
由针孔引起的丝状电流可能是负阻特性的成因。
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