激光分子束外延方法生长的ZnO薄膜的发光特性

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研究论文 | 更新时间：2020-08-11

- 激光分子束外延方法生长的ZnO薄膜的发光特性
- Photoluminescence Characteristics of ZnO Film Grown by Laser-MBE Method
- 发光学报 2006年27卷第2期页码：215-220
- 作者机构：
  
  1. 西安交通大学, 应用物理系
  2. 西安交通大学, 信息光子技术陕西省重点实验室
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助项目(10474078)()
- DOI：
  中图分类号： O472.3;O482.31
- 收稿：2004-08-25，
  
  修回：2005-4-10，
  
  纸质出版：2006-03-20
- 稿件说明：
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谢伦军, 陈光德, 竹有章, 张景文, 杨晓东, 徐庆安, 侯洵. 激光分子束外延方法生长的ZnO薄膜的发光特性[J]. 发光学报, 2006,27(2): 215-220

XIE Lun-jun, CHEN Guang-de, ZHU You-zhang, ZHANG Jing-wen, YANG Xiao-dong, XU Qing-an, HOU Xun. Photoluminescence Characteristics of ZnO Film Grown by Laser-MBE Method[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(2): 215-220
谢伦军, 陈光德, 竹有章, 张景文, 杨晓东, 徐庆安, 侯洵. 激光分子束外延方法生长的ZnO薄膜的发光特性[J]. 发光学报, 2006,27(2): 215-220 DOI：

XIE Lun-jun, CHEN Guang-de, ZHU You-zhang, ZHANG Jing-wen, YANG Xiao-dong, XU Qing-an, HOU Xun. Photoluminescence Characteristics of ZnO Film Grown by Laser-MBE Method[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(2): 215-220 DOI：

研究了不同温度和不同光激发强度下激光分子束外延方法生长的ZnO薄膜样品的发光性能

发现YAG脉冲激光激发

强度超过一定值时会在长波方向上出现一个新的发光峰

此峰可能起源于电子-空穴的复合。室温下氙灯激发的光谱中可以看到峰值位于381nm的近带边紫外发射峰和位于450nm的强的蓝绿带发射

根据光致发光激发光谱的特征给出了一个简单的蓝光发射模型。对比YAG脉冲激光激发和氙灯激发得到的实验光谱

我们认为不同的光谱特征和样品发光的激发机制有关

紫外峰发射需激发强度超过一定值才能观察到

而蓝带发射则在一定的激发强度下迅速饱和。

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