高反射率p-GaN欧姆接触电极

康香宁; 章蓓; 胡成余; 王琦; 陈志忠; 张国义

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高反射率p-GaN欧姆接触电极

研究论文 | 更新时间：2020-08-11

- 高反射率p-GaN欧姆接触电极
- Ohmic Contact of High Reflectivity on p-Type GaN
- 发光学报 2006年27卷第1期页码：75-79
- 作者机构：
  
  北京大学, 物理学院, 人工微结构和介观物理国家重点实验室
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家“863”计划(2001AA313110,2001AA313060,2001AA313140)();北京市科技项目(H030430020230)();国家自然科学基
- DOI：
  中图分类号： TN312.8;O482.31
- 收稿：2004-08-09，
  
  修回：2004-11-20，
  
  纸质出版：2006-01-20
- 稿件说明：
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康香宁, 章蓓, 胡成余, 王琦, 陈志忠, 张国义. 高反射率p-GaN欧姆接触电极[J]. 发光学报, 2006,27(1): 75-79

KANG Xiang-ning, ZHANG Bei, HU Cheng-yu, WANG Qi, CHEN Zhi-zhong, ZHANG Guo-yi. Ohmic Contact of High Reflectivity on p-Type GaN[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(1): 75-79
康香宁, 章蓓, 胡成余, 王琦, 陈志忠, 张国义. 高反射率p-GaN欧姆接触电极[J]. 发光学报, 2006,27(1): 75-79 DOI：

KANG Xiang-ning, ZHANG Bei, HU Cheng-yu, WANG Qi, CHEN Zhi-zhong, ZHANG Guo-yi. Ohmic Contact of High Reflectivity on p-Type GaN[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(1): 75-79 DOI：

摘要

根据光学薄膜原理计算了GaN/Ti/Ag、GaN/Al和GaN/Ni/Au/Ti/Ag、GaN/Ni/Au/Al多层电极结构的反射率

得出Ag基和Al基反射电极均能在全角范围内提供较高的反射率。实验测量结果表明

反射率能高于80%的Ag基反射电极

具有低欧姆接触的电学特性。并将GaN/Ni/Au/Ti/Ag多层反射电极应用在上下电极结构的GaN基LED中。实验上采用两步合金法获得了低接触电阻、高反射率的电极结构

并引入Ni/Au覆盖层克服了Ag高温时的团聚和氧化现象。解决了Ag电极的稳定性问题

显著地提高了LED的出光效率

成功制备了具有上下电极结构的GaN基LED管芯。

Abstract

关键词

Keywords

references

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