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射频等离子体辅助MBE生长GaN及Mg掺杂的光致发光
研究论文 | 更新时间：2020-08-11

    • 射频等离子体辅助MBE生长GaN及Mg掺杂的光致发光

    • Photoluminescence Lines in Unintentionally Doped and Mg-doped GaN Grown by Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy

    • 发光学报   2006年27卷第6期 页码：971-975
    • 中图分类号： O472.3;O482.31

    • 收稿：2006-03-06，

      修回：2006-6-24，

      纸质出版：2006-11-20

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  • 隋妍萍, 于广辉, 孟胜, 雷本亮, 王笑龙, 王新中, 齐鸣. 射频等离子体辅助MBE生长GaN及Mg掺杂的光致发光[J]. 发光学报, 2006,27(6): 971-975 DOI：

    SUI Yan-ping, YU Guang-hui, MENG Sheng, LEI Ben-liang, WANG Xiao-long, WANG Xin-zhong, QI Ming. Photoluminescence Lines in Unintentionally Doped and Mg-doped GaN Grown by Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(6): 971-975 DOI：

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