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常压MOCVD生长Ga2O3薄膜及其分析
论文 | 更新时间：2020-08-11

    • 常压MOCVD生长Ga2O3薄膜及其分析

    • Ga2O3 Thin Films Grown on Sapphire by Atmospheric Pressure MOCVD

    • 发光学报   2006年27卷第3期 页码：417-420
    • 中图分类号： TN304.055

    • 收稿：2004-08-24，

      修回：2004-12-22，

      纸质出版：2006-05-20

    移动端阅览

  • 戴江南, 王立, 方文卿, 蒲勇, 李璠, 郑畅达, 刘卫华, 江风益. 常压MOCVD生长Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜及其分析[J]. 发光学报, 2006,27(3): 417-420 DOI：

    DAI Jiang-nan, WANG Li, FANG Wen-qing, PU Yong, LI Fan, ZHENG Chang-da, LIU Wei-hua, JIANG Feng-yi. Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> Thin Films Grown on Sapphire by Atmospheric Pressure MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(3): 417-420 DOI：

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相关作者

汪壮兵
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梁 齐

相关机构

中国科学技术大学物理系
合肥工业大学 应用物理系
合肥工业大学 应用物理系
浙江大学物理系, 固体光电子材料物理与器件实验室
中国科学院, 激发态物理重点实验室
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