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Si衬底GaN基LED的结温特性
研究论文 | 更新时间：2020-08-11

    • Si衬底GaN基LED的结温特性

    • The Junction-temperature Characteristic of GaN Light-emitting Diodes on Si Substrate

    • 发光学报   2006年27卷第2期 页码：211-214
    • 中图分类号： TN312.8;O482.31

    • 收稿：2005-04-10，

      修回：2005-7-14，

      纸质出版：2006-03-20

    移动端阅览

  • 刘卫华, 李有群, 方文卿, 莫春兰, 周毛兴, 刘和初, 熊传兵, 江风益. Si衬底GaN基LED的结温特性[J]. 发光学报, 2006,27(2): 211-214 DOI：

    LIU Wei-hua, LI You-qun, FANG Wen-qing, MO Chun-lan, ZHOU Mao-xing, LIU He-chu, XIONG Chuan-bing, JIANG Feng-yi. The Junction-temperature Characteristic of GaN Light-emitting Diodes on Si Substrate[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(2): 211-214 DOI：

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杨超普
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商洛学院 化学工程与现代材料学院
南昌大学 材料科学与工程学院
南昌大学 国家硅基LED工程技术研究中心
安徽工业大学 数理科学与工程学院
南昌大学 国家硅基LED工程技术研究中心
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