GaN基紫光LED的高反射率p型欧姆接触

张敬东; 于彤军; 杨志坚; 阎和平; 张宁; 穆森; 张国义

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GaN基紫光LED的高反射率p型欧姆接触

研究论文 | 更新时间：2020-08-11

- GaN基紫光LED的高反射率p型欧姆接触
- High-reflectance Ohmic Contacts to p-GaN of GaN-based Violet LEDs
- 发光学报 2006年27卷第1期页码：69-74
- 作者机构：
  
  北京大学, 物理学院, 人工微结构与介观物理国家重点实验室, 宽禁带半导体研究中心
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(60376005,60276010)();国家“863”计划(2001AA313140,2001AA313060)资助项目()
- DOI：
  中图分类号： TN312.8;O482.31
- 收稿：2005-04-08，
  
  修回：2005-5-17，
  
  纸质出版：2006-01-20
- 稿件说明：
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张敬东, 于彤军, 杨志坚, 阎和平, 张宁, 穆森, 张国义. GaN基紫光LED的高反射率p型欧姆接触[J]. 发光学报, 2006,27(1): 69-74

ZHANG Jing-dong, YU Tong-jun, YANG Zhi-jian, YAN He-ping, ZHANG Ning, MU Sen, ZHANG Guo-yi. High-reflectance Ohmic Contacts to p-GaN of GaN-based Violet LEDs[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(1): 69-74
张敬东, 于彤军, 杨志坚, 阎和平, 张宁, 穆森, 张国义. GaN基紫光LED的高反射率p型欧姆接触[J]. 发光学报, 2006,27(1): 69-74 DOI：

ZHANG Jing-dong, YU Tong-jun, YANG Zhi-jian, YAN He-ping, ZHANG Ning, MU Sen, ZHANG Guo-yi. High-reflectance Ohmic Contacts to p-GaN of GaN-based Violet LEDs[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(1): 69-74 DOI：

摘要

研究用于GaN基大功率倒装焊(Flip-chip)紫光LED(UV-LED)的高反射率p型欧姆接触的电学和光学性能。用磁控溅射的方法在GaN基LED外延片表面沉积了不同厚度Ag

Au和Pd四种金属

测量了样品的反射率和透射率。结合同步辐射高强度X射线衍射和AFM对金属薄膜的晶体结构进行分析

并对表面形貌进行了观测

对由金属薄膜构成的多层膜结构及其对光反射率的作用机理进行了研究。测量结果表明

在入射光波长为400nm时

Ni/Au/Ag和Ni/Au/Al电极的反射率比Ni/Au的反射率提高了三倍。同时与p-GaN有良好的欧姆接触特性。

Abstract

关键词

Keywords

references

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