多孔硅的后处理及其发光特性

王水凤; 姜乐; 戴丽丽; 元美玲; 唐小迅

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多孔硅的后处理及其发光特性

研究论文 | 更新时间：2020-08-11

- 多孔硅的后处理及其发光特性
- Photoluminescence Properties of Porous Silicon after Acid Treatment and Cathodic Reduction Process
- 发光学报 2006年27卷第1期页码：118-122
- 作者机构：
  
  南昌大学, 物理系, 江西, 南昌, 330047
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  江西省自然科学基金资助项目(0312006)()
- DOI：
  中图分类号： O482.31
- 收稿：2004-08-16，
  
  修回：2004-12-13，
  
  纸质出版：2006-01-20
- 稿件说明：
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王水凤, 姜乐, 戴丽丽, 元美玲, 唐小迅. 多孔硅的后处理及其发光特性[J]. 发光学报, 2006,27(1): 118-122

WANG Shui-feng, JIANG Le, DAI Li-li, YUAN Mei-ling, TANG Xiao-xun. Photoluminescence Properties of Porous Silicon after Acid Treatment and Cathodic Reduction Process[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(1): 118-122
王水凤, 姜乐, 戴丽丽, 元美玲, 唐小迅. 多孔硅的后处理及其发光特性[J]. 发光学报, 2006,27(1): 118-122 DOI：

WANG Shui-feng, JIANG Le, DAI Li-li, YUAN Mei-ling, TANG Xiao-xun. Photoluminescence Properties of Porous Silicon after Acid Treatment and Cathodic Reduction Process[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(1): 118-122 DOI：

摘要

采用一种新颖而简便的方法

改善多孔硅的发光特性。该方法包括酸处理和阴极还原两步。实验证明通过对多孔硅进行酸处理

能有效提高多孔硅的发光强度;通过对多孔硅进行阴极还原处理

能明显改善多孔硅的发光稳定性

而且发光强度也得到了提高。综合酸处理和阴极还原两技术的特点

对所制备的多孔硅立即先进行酸处理

然后再对其进行阴极还原处理

结果表明该方法能较好地提高多孔硅的发光效率和发光稳定性。而且还对其发光机制进行了探讨。

Abstract

关键词

Keywords

references

Canham L T.Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafters[J].Appl.Phys.Lett.,1990,57:1046-1048.

Wang Xiaojing,Wang Zuochen,Li Qingshan,et al.Effect of preparation conditions on photoluminescence of porous silicon[J].Chin.J.Lumin.(发光学报),2004,25(3):261-266 (in Chinese).

Wang Xiaojing,Li Qingshan.Photoluminescence mechanism of porous silicon[J].Chin.J.Lumin.(发光学报),2004,25(4):396-400 (in Chinese).

Chen Songyan,Cai Beini,Huang Yanhua,et al.New anodic oxidized technology of porous silicon[J].Chin.J.Lumin.(发光学报),2004,25(5):561-566 (in Chinese).

Li Hongjian,Peng Jingcui,Xu Xuemei,et al.Photolumimescence property of passivated porous silicon[J].Chin.J.Semicon.(半导体学报),2002,23(1):34-37 (in Chinese).

Yu Xianwen,Zhu Rongjin,Zhu Ziqiang,et al.Drying methods of porous silicon[J].Chin.J.Semicond.(半导体学报),2003,24(6):663-666 (in Chinese).

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