非对称双量子阱中载流子耦合的温度依赖性

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非对称双量子阱中载流子耦合的温度依赖性

半导体发光、激光和光电性质 | 更新时间：2020-08-11

- 非对称双量子阱中载流子耦合的温度依赖性
- Temperature Dependence of Carrier Coupling in an Asymmetric Double-Quantum-Well
- 发光学报 2005年26卷第6期页码：753-756
- 作者机构：
  
  1. 南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室
  2. 南开大学信息光子材料与技术重点实验室
  3. 南开大学泰达应用物理学院
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(60476042,60444010);南开大学人事处科研启动经费资助项目
- DOI：
  中图分类号： O472.3;O482.31
- 收稿：2004-08-25，
  
  修回：2004-11-24，
  
  纸质出版：2005-11-20
- 稿件说明：
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邓浩亮, 贾国治, 姚江宏, 徐章程. 非对称双量子阱中载流子耦合的温度依赖性[J]. 发光学报, 2005,26(6): 753-756

DENG Hao-liang, JIA Guo-zhi, YAO Jiang-hong, XU Zhang-cheng. Temperature Dependence of Carrier Coupling in an Asymmetric Double-Quantum-Well[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2005,26(6): 753-756
邓浩亮, 贾国治, 姚江宏, 徐章程. 非对称双量子阱中载流子耦合的温度依赖性[J]. 发光学报, 2005,26(6): 753-756 DOI：

DENG Hao-liang, JIA Guo-zhi, YAO Jiang-hong, XU Zhang-cheng. Temperature Dependence of Carrier Coupling in an Asymmetric Double-Quantum-Well[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2005,26(6): 753-756 DOI：

非对称双量子阱中载流子动力学过程的温度依赖性研究

对于实现室温下高效的量子阱光电器件有着非常重要的意义.随着温度的升高

量子阱中的载流子被热激发到势垒层中后

部分载流子会被量子阱再俘获

即在不同的量子阱之间发生了载流子的耦合.利用耦合多量子阱载流子动力学模型

模拟了非对称双量子阱中载流子耦合的温度依赖性.研究表明

在不同温度下

各量子阱的光致荧光强度比强烈地依赖于量子阱的激活能差.光致荧光强度比的最大值与激活能差成指数关系

而其所对应的温度与激活能差成线性关系.

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