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退火对常压MOCVD法生长的高结晶性能ZnO薄膜发光特性的影响
研究论文 | 更新时间：2020-08-11

    • 退火对常压MOCVD法生长的高结晶性能ZnO薄膜发光特性的影响

    • Influence of Annealing on Luminescent Properties of High Crystalline ZnO Thin Films Grown by Atmospheric Pressure MOCVD

    • 发光学报   2005年26卷第5期 页码：611-616
    • 中图分类号： O472.3;O4821.31

    • 收稿：2004-08-23，

      修回：2004-12-22，

      纸质出版：2005-09-20

    移动端阅览

  • 陈玉凤, 温战华, 王立, 戴江南, 方文卿, 江风益. 退火对常压MOCVD法生长的高结晶性能ZnO薄膜发光特性的影响[J]. 发光学报, 2005,26(5): 611-616 DOI：

    CHEN Yu-feng, WEN Zhan-hua, WANG Li, DAI Jiang-nan, FANG Wenqing, JIANG Feng-yi. Influence of Annealing on Luminescent Properties of High Crystalline ZnO Thin Films Grown by Atmospheric Pressure MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2005,26(5): 611-616 DOI：

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相关作者

张浩
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上海大学 材料学院
厦门大学物理系
厦门大学 萨本栋微纳米技术研究中心
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