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中国科学院半导体研究所, 超晶格国家重点实验室
收稿:2004-08-25,
修回:2004-12-13,
纸质出版:2005-07-20
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屈玉华, 江德生, 边历峰, 孙征, 牛智川, 徐晓华. GaAs基GaAsSb/GaInAs双层量子阱的发光[J]. 发光学报, 2005,26(4): 507-512
QU Yu-hua, JIANG De-sheng, BIAN Li-feng, SUN Zheng, NIU Zhi-chuan, XU Xiao-hua. Photoluminescence of GaAsSb/GaInAs Bilayer Quantum Wells Grown on GaAs Substrate[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2005,26(4): 507-512
屈玉华, 江德生, 边历峰, 孙征, 牛智川, 徐晓华. GaAs基GaAsSb/GaInAs双层量子阱的发光[J]. 发光学报, 2005,26(4): 507-512 DOI:
QU Yu-hua, JIANG De-sheng, BIAN Li-feng, SUN Zheng, NIU Zhi-chuan, XU Xiao-hua. Photoluminescence of GaAsSb/GaInAs Bilayer Quantum Wells Grown on GaAs Substrate[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2005,26(4): 507-512 DOI:
嵌入GaAs中的GaAsSb/GaInAs量子阱因其在1.3~1.5μm光通信波段发光的潜力而受到关注
我们研究了一系列MBE生长的GaAsSb/GaInAs量子阱样品的光致发光
发现所有样品在室温下都出现了一个较强的、波长在1.3μm附近的低能峰和一个较弱的高能峰。变温及变激发功率的荧光谱测量研究发现
高能峰只有在150K以上的测试条件下才能观测到
并且其相对强度随着温度的升高而增加
其调制光谱显示出第一类跃迁的特征。他们建立了理论模型
计算的结果支持将这一发光峰指派为GaInAs层内电子的基态与重空穴激发态间的跃迁
并与实验数据吻合得很好。同时初步讨论了改善1.3μm的低能峰发光的方法。
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