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SiH2Cl2-NH3配比对a-SiNx:H薄膜PL峰的影响
材料合成及性能 | 更新时间:2020-08-11
    • SiH2Cl2-NH3配比对a-SiNx:H薄膜PL峰的影响

    • Photoluminescence Properties of Silicon-rich SiNx Films Deposited from the SiH2Cl2-NH3 Reactant Mixture in LPCVD

    • 发光学报   2005年26卷第4期 页码:502-506
    • 中图分类号: O472.3:O482.31
    • 收稿:2004-08-24,

      修回:2004-12-15,

      纸质出版:2005-07-20

    移动端阅览

  • 王小波, 刘渝珍, 奎热西, 董立军, 陈大鹏. SiH<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>-NH<sub>3</sub>配比对a-SiN<sub>x</sub>:H薄膜PL峰的影响[J]. 发光学报, 2005,26(4): 502-506 DOI:

    WANG Xiao-bo, LIU Yu-zhen, KUI Re-xi, DONG Li-jun, CHEN Da-peng. Photoluminescence Properties of Silicon-rich SiN<sub>x</sub> Films Deposited from the SiH<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>-NH<sub>3</sub> Reactant Mixture in LPCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2005,26(4): 502-506 DOI:

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