新一代白光LED照明用一种适于近紫外光激发的单一白光荧光粉

孙晓园; 张家骅; 张霞; 刘慎薪; 蒋大鹏; 王笑军

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新一代白光LED照明用一种适于近紫外光激发的单一白光荧光粉

研究快报 | 更新时间：2020-08-11

- 新一代白光LED照明用一种适于近紫外光激发的单一白光荧光粉
- A Single White Phosphor Suitable for Near Ultraviolet Excitation Applied to New Generation White LED Lighting
- 发光学报 2005年26卷第3期页码：404-406
- 作者机构：
  
  中国科学院, 激发态物理重点实验室, 吉林, 长春, 130033
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  中国科学院BR计划;国家自然科学基金(90201010,50172047,50272065)资助项目
- DOI：
  中图分类号： O482.31
- 收稿：2005-03-20，
  
  修回：2005-4-19，
  
  纸质出版：2005-05-20
- 稿件说明：
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孙晓园, 张家骅, 张霞, 刘慎薪, 蒋大鹏, 王笑军. 新一代白光LED照明用一种适于近紫外光激发的单一白光荧光粉[J]. 发光学报, 2005,26(3): 404-406

SUN Xiao-yuan, ZHANG Jia-hua, ZHANG Xia, LIU Shen-xin, JIANG Da-peng, WANG Xiao-jun. A Single White Phosphor Suitable for Near Ultraviolet Excitation Applied to New Generation White LED Lighting[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2005,26(3): 404-406
孙晓园, 张家骅, 张霞, 刘慎薪, 蒋大鹏, 王笑军. 新一代白光LED照明用一种适于近紫外光激发的单一白光荧光粉[J]. 发光学报, 2005,26(3): 404-406 DOI：

SUN Xiao-yuan, ZHANG Jia-hua, ZHANG Xia, LIU Shen-xin, JIANG Da-peng, WANG Xiao-jun. A Single White Phosphor Suitable for Near Ultraviolet Excitation Applied to New Generation White LED Lighting[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2005,26(3): 404-406 DOI：

摘要

首次报道单一Sr

MgSiO

:Eu

材料的白光发射性质。发射光谱由两个谱带组成

分别位于470

570nm处

并具有不同的荧光寿命

归结为处于不同格位上的二价铕离子的发射

它们混合成白光。这两个发射带所对应的激发光谱均分布在250～450nm的紫外区

利用该荧光粉和具有400nm近紫外光发射的InGaN管芯制成了白光LED。正向驱动电流为20mA时

色温为5664K;发光色坐标为

=0.33

=0.34;显色指数为85%;光强达8100cd/m

。实验表明

器件的色坐标和显色指数等参数随正向驱动电流的变化起伏量小于5%

优于目前商用的蓝光管芯泵浦白光LED

报道的单一白光荧光粉在新一代白光LED照明领域具有广阔的应用前景。

Abstract

We report

for the first time

white light emissions of a single Sr

MgSiO

:Eu

material. The emission spectrum consists of two bands

located at 470 and 570 nm

respectively. The two bands have different fluorescence lifetimes

being attributed to Eu

ions substituted by different Sr sites. White light is generated by mixing the two colors. The excitation spectra of the two bands are both distributed within UV range. A white LED has been fabricated employing the white phosphor and a near UV of 400 nm InGaN chip. As the forward-bias current is 20 mA

the color temperature is 5664 K

the color coordinates(CIE) are

=0.33

=0.34

the color rendering index(CRI) is 85% and the luminescent intensity is 8100 cd/m

. Experiments demonstrate that CIE and CRI of the white LED change slightly with the variation of forward-bias current

indicating that the phosphor presented in this work is a promising material for use in new generation white LED lighting.

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