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MOCVD生长的InGaN合金的发光特性
研究论文 | 更新时间：2020-08-11

    • MOCVD生长的InGaN合金的发光特性

    • Optical Properties of InGaN Film Grown by MOCVD

    • 发光学报   2005年26卷第5期 页码：602-606
    • 中图分类号： O472.3;O482.31

    • 收稿：2004-08-22，

      修回：2005-3-12，

      纸质出版：2005-09-20

    移动端阅览

  • 竹有章, 陈光德, 谢伦军, 唐远河, 邱复生. MOCVD生长的InGaN合金的发光特性[J]. 发光学报, 2005,26(5): 602-606 DOI：

    ZHU You-zhang, CHEN Guang-de, XIE Lun-jun, TANG Yuan-he, QIU Fu-sheng. Optical Properties of InGaN Film Grown by MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2005,26(5): 602-606 DOI：

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中国科学技术大学物理系
哈尔滨师范大学 纳米功能材料研究黑龙江省重点实验室
吉林大学 物理学院
中国科学院物理研究所 北京凝聚态物理国家实验室
首都师范大学 物理系
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