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用MEVVA低能离子注入制备表层SiC/Si异质结构及其室温的光致发光特性
研究论文 | 更新时间：2020-08-11

    • 用MEVVA低能离子注入制备表层SiC/Si异质结构及其室温的光致发光特性

    • Structure and Photoluminescence Properties of Heterostructure SiC/Si Prepared by MEVVA Ion Implantation at Room Temperature

    • 发光学报   2005年26卷第5期 页码：636-640
    • 中图分类号： O473;O482.31

    • 收稿：2004-08-22，

      修回：2005-4-21，

      纸质出版：2005-09-20

    移动端阅览

  • 王莉, 赵艳娥, 赵福利, 陈弟虎. 用MEVVA低能离子注入制备表层SiC/Si异质结构及其室温的光致发光特性[J]. 发光学报, 2005,26(5): 636-640 DOI：

    WANG Li, ZHAO Yan-e, ZHAO Fu-li, CHEN Di-hu. Structure and Photoluminescence Properties of Heterostructure SiC/Si Prepared by MEVVA Ion Implantation at Room Temperature[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2005,26(5): 636-640 DOI：

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中国科学院激发态物理重点实验室, 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
东北师范大学物理系理论物理研究所
南昌大学材料科学工程系
南昌大学物理系
北京师范大学低能核物理研究所教育部射线束技术与材料改性重点实验室
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