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Si(111)衬底上GaN的MOCVD生长
研究论文 | 更新时间：2020-08-11

    • Si(111)衬底上GaN的MOCVD生长

    • GaN Growth on Si(111) by MOCVD

    • 发光学报   2005年26卷第4期 页码：517-520
    • 中图分类号： O472.3;O82.31

    • 收稿：2004-06-24，

      修回：2004-11-11，

      纸质出版：2005-07-20

    移动端阅览

  • 胡加辉, 朱军山, 冯玉春, 张建宝, 李忠辉, 郭宝平, 徐岳生. Si(111)衬底上GaN的MOCVD生长[J]. 发光学报, 2005,26(4): 517-520 DOI：

    HU Jia-hui, ZHU Jun-shan1, FENG Yu-chun, ZHANG Jian-bao, LI Zhong-hui, GUO Bao-ping, XU Yue-sheng. GaN Growth on Si(111) by MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2005,26(4): 517-520 DOI：

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