ZnO：Al/p-Si的接触特性

刘磁辉; 段理; 林碧霞; 刘秉策; 雷欢; 蔡俊江; 傅竹西

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ZnO：Al/p-Si的接触特性

材料合成及性能 | 更新时间：2020-08-11

- ZnO：Al/p-Si的接触特性
- Contact Characteristics of ZnO：Al/p-Si
- 发光学报 2005年26卷第4期页码：526-530
- 作者机构：
  
  1. 中国科学技术大学物理系
  2. 中国科学技术大学, 少年班
  3. 合肥工业大学理学院, 安徽, 合肥, 230026
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(90201038);中国科学院知识创新方向性课题(KJCX2-SW-04-02)资助项目
- DOI：
  中图分类号： O472.3
- 收稿：2004-08-25，
  
  修回：2004-12-10，
  
  纸质出版：2005-07-20
- 稿件说明：
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刘磁辉, 段理, 林碧霞, 刘秉策, 雷欢, 蔡俊江, 傅竹西. ZnO：Al/p-Si的接触特性[J]. 发光学报, 2005,26(4): 526-530

LIU Ci-hui, DUAN Li, LIN Bi-xia, LIU Bing-ce, LEI Huan, CAI Jun-jiang, FU Zhu-xi. Contact Characteristics of ZnO：Al/p-Si[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2005,26(4): 526-530
刘磁辉, 段理, 林碧霞, 刘秉策, 雷欢, 蔡俊江, 傅竹西. ZnO：Al/p-Si的接触特性[J]. 发光学报, 2005,26(4): 526-530 DOI：

LIU Ci-hui, DUAN Li, LIN Bi-xia, LIU Bing-ce, LEI Huan, CAI Jun-jiang, FU Zhu-xi. Contact Characteristics of ZnO：Al/p-Si[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2005,26(4): 526-530 DOI：

摘要

利用射频磁控溅射制备了ZnO:Al/p-Si接触

并对其进行

C-V

和

I-V

特性的77~350K变温测量。并对未热退火和800℃热退火两种样品的测量结果进行了对比分析。结果发现

未经热退火和经过热退火处理的样品在

C-V

和

I-V

特性上有很大差别。解释了两种样品的

C-V

和

I-V

测量结果的不同。对于未退火的样品

由于界面处的大量界面态的屏蔽作用

使得ZnO:Al/p-Si异质结的

C-V

曲线发生畸变。经800℃热退火

ZnO:Al/p-Si异质结的

C-V

特性恢复正常

说明热退火已经消除了异质结中的界面态和缺陷态。研究表明ZnO:Al/p-Si异质结经适当热退火处理有更好的整流特性同时对光致发光也更有利。

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关键词

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