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电子科技大学微电子与固体电子学院
收稿:2004-09-15,
修回:2004-12-4,
纸质出版:2005-01-20
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高晖, 邓宏, 李燕. ZnO肖特基势垒紫外探测器[J]. 发光学报, 2005,26(1): 135-138
GAO Hui, DENG Hong, LI Yan. ZnO Schottky Barrier UV Photodetector[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2005,26(1): 135-138
高晖, 邓宏, 李燕. ZnO肖特基势垒紫外探测器[J]. 发光学报, 2005,26(1): 135-138 DOI:
GAO Hui, DENG Hong, LI Yan. ZnO Schottky Barrier UV Photodetector[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2005,26(1): 135-138 DOI:
以p-Si(111)为衬底
用水热法首次制得六棱微管ZnO。并以此为有源区利用平面磁控溅射技术沉积得到Ag叉指状电极
从而制作了Ag/n-ZnO肖特基势垒结紫外探测器。对该紫外光探测器的暗电流和365nm波长光照下的光电流、光响应和量子效率进行了测试。测试结果表明:Ag和ZnO六棱管间已形成肖特基接触
其有效势垒高度为0.35eV。无光照时
暗电流很小
当用λ=365nm的光照射Ag/n-ZnO肖特基结时
在5
9V偏压时
光生电流分别为25.6
57.9μA。Ag/n-ZnO紫外探测器有明显的光响应特性和较高的量子效率
在 366nm波长处
光响应度达到最大值0.161A/W
量子效率为54.7%。
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