GaPN混晶的瞬态发光特性

高玉琳; 吕毅军; 郑健生; ZHANG Yong; MASCARENHAS A; XIN H-P; TU C W

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GaPN混晶的瞬态发光特性

研究论文 | 更新时间：2020-08-11

- GaPN混晶的瞬态发光特性
- Transient Photoluminescence of GaP_1-xN_x Alloys
- 发光学报 2005年26卷第1期页码：77-82
- 作者机构：
  
  1. 厦门大学物理系
  2. National Renewable Energy Laboratory
  3. Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, USA
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(60276002);厦门大学预研基金(Y07005)资助项目
- DOI：
  中图分类号： O472.3
- 收稿：2004-04-20，
  
  修回：2004-8-28，
  
  纸质出版：2005-01-20
- 稿件说明：
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高玉琳, 吕毅军, 郑健生, ZHANG Yong, MASCARENHAS A, XIN H-P, TU C W. GaPN混晶的瞬态发光特性[J]. 发光学报, 2005,26(1): 77-82

GAO Yu-lin, LU Yi-jun, ZHENG Jian-sheng, ZHANG Yong, MASCARENHAS A, XIN H-P, TU C W. Transient Photoluminescence of GaP1-xNx Alloys[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2005,26(1): 77-82
高玉琳, 吕毅军, 郑健生, ZHANG Yong, MASCARENHAS A, XIN H-P, TU C W. GaPN混晶的瞬态发光特性[J]. 发光学报, 2005,26(1): 77-82 DOI：

GAO Yu-lin, LU Yi-jun, ZHENG Jian-sheng, ZHANG Yong, MASCARENHAS A, XIN H-P, TU C W. Transient Photoluminescence of GaP1-xNx Alloys[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2005,26(1): 77-82 DOI：

摘要

通过对GaP

1-x

混晶的瞬态发光特性的研究

揭示了在低组分下N杂质从NNi对束缚激子的特性逐渐向高组分下形成GaP

1-x

混晶的杂质带的演变。在较低组分下

样品的发光由NNi对束缚激子及其声子伴线构成

从NN1 到NN4 的衰减时间分别在 90~30ns变化。当组分提高到x~1.3%以上时

样品的发光呈现出一个宽带

并按单指数规律衰减

辐射复合寿命大约在数十个纳秒量级

且随着N组分的增加

寿命相对减小;但在最高组分(x~3.1%)时

其寿命仍与NN4 束缚激子的寿命相当(~30ns)

说明GaP

1-x

混晶新形成的杂质带仍然保持束缚激子较长的辐射复合寿命。且该杂质带低能端载流子的寿命比高能端载流子的寿命长

导致了其时间分辨谱向低能端的移动。同时在低组分样品的时间分辨谱的测量中

直接观察到了从较浅NN对束缚激子向较深NN对束缚激子的能量传输现象。

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