用CH3CSNH2钝化GaP表面特性的研究

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用CH₃CSNH₂钝化GaP表面特性的研究

研究报告 | 更新时间：2020-08-11

- 用CH₃CSNH₂钝化GaP表面特性的研究
- Properties of GaP Surface Passivated with CH₃CSNH₂ Solution
- 发光学报 2000年21卷第2期页码：115-119
- 作者机构：
  
  厦门大学物理学系、化学系, 厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室, 福建, 厦门, 361005
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  福建省自然科学基金;中国科学院上海技术物理所国家红外物理实验室资助课题
- DOI：
  中图分类号： O472.1
- 收稿：1999-08-17，
  
  修回：1999-12-1，
  
  纸质出版：2000-05-30
- 稿件说明：
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林秀华, 徐富春, 江炳熙. 用CH3CSNH2钝化GaP表面特性的研究[J]. 发光学报, 2000,21(2): 115-119

LIN Xiu-hua, XU Fu-chun, JIANG Bing-xi. Properties of GaP Surface Passivated with CH3CSNH2 Solution[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2000,21(2): 115-119
林秀华, 徐富春, 江炳熙. 用CH3CSNH2钝化GaP表面特性的研究[J]. 发光学报, 2000,21(2): 115-119 DOI：

LIN Xiu-hua, XU Fu-chun, JIANG Bing-xi. Properties of GaP Surface Passivated with CH3CSNH2 Solution[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2000,21(2): 115-119 DOI：

借助扫描电子显微镜(SEM)、X光电子能谱仪(XPS)研究在不同处理条件下

GaP晶片表面硫化物钝化对其结构、形态以及表面形貌的影响。实验结果表明:经过CH3CSNH2溶液一定时间钝化处理后

GaP表面氧化物基本消失

形成薄的硫化物钝化层和较强的Ga—S、P—S键

并引起X光电子能谱的Ga、P芯能级化学位移

Ga的硫化物有较好的稳定性。

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