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MOCVD生长GaN：Si单晶膜的研究
稀土发光材料 | 更新时间：2020-08-11

    • MOCVD生长GaN：Si单晶膜的研究

    • GaN：Si Single Crystal Films Grown on Sapphire Substrates by MOCVD

    • 发光学报   2000年21卷第2期 页码：120-124
    • 中图分类号： O474

    • 收稿：1999-09-23，

      修回：2000-12-16，

      纸质出版：2000-05-30

    移动端阅览

  • 江风益, 李述体, 王立, 熊传兵, 彭学新, 辛勇, 姚冬敏. MOCVD生长GaN：Si单晶膜的研究[J]. 发光学报, 2000,21(2): 120-124 DOI：

    JIANG Feng-yi, LI Shu-ti, WANG Li, XIONG Chuan-bing, PENG Xue-xin, XIN Yong, YAO Dong-min. GaN：Si Single Crystal Films Grown on Sapphire Substrates by MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2000,21(2): 120-124 DOI：

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相关作者

李述体
王立
辛勇
彭学新
熊传兵
姚冬敏
江风益
徐雨萌

相关机构

长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室
南昌大学 国家硅基LED工程技术研究中心
南昌大学 材料科学与工程学院
北京工业大学电子信息与控制工程学院 光电子技术省部共建教育部重点实验室
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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