GaN的补偿度与离子束沟道最小产额比的关系的研究

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研究报告 | 更新时间：2020-08-11

- GaN的补偿度与离子束沟道最小产额比的关系的研究
- Relationship between Compensation and Ion Channeling Minimum Yield in GaN
- 发光学报 2000年21卷第2期页码：110-114
- 作者机构：
  
  南昌大学材料科学研究所, 江西, 南昌, 330047
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家863新材料领域(715－001—0012);国家自然科学基金(69676019);江西省跨世纪人才基金等资助
- DOI：
  中图分类号： 0473
- 收稿：1999-07-20，
  
  修回：2000-3-5，
  
  纸质出版：2000-05-30
- 稿件说明：
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姚冬敏, 王立, 熊传兵, 彭学新, 江风益. GaN的补偿度与离子束沟道最小产额比的关系的研究[J]. 发光学报, 2000,21(2): 110-114

YAO Dong-min, WANG Li, XIONG Chuan-bing, PENG Xue-xin, JIANG Feng-yi. Relationship between Compensation and Ion Channeling Minimum Yield in GaN[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2000,21(2): 110-114
姚冬敏, 王立, 熊传兵, 彭学新, 江风益. GaN的补偿度与离子束沟道最小产额比的关系的研究[J]. 发光学报, 2000,21(2): 110-114 DOI：

YAO Dong-min, WANG Li, XIONG Chuan-bing, PENG Xue-xin, JIANG Feng-yi. Relationship between Compensation and Ion Channeling Minimum Yield in GaN[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2000,21(2): 110-114 DOI：

用RBS/沟道技术对MOCVD生长的未故意掺杂的GaN的结构性能进行了测试

同时用霍耳方法测试了样品的电学性能。结果表明:GaN薄膜的背散射沟道谱与随机谱之比

min和其补偿度存在一定的依赖关系。补偿度小的样品

其

min小;随着样品补偿度的增大

min也逐渐增大;但它们之间的关系变化是非线性的。对这些结果给予了一定的解释。

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