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中国科学院长春物理研究所
收稿:1999-04-16,
纸质出版:1999-05-30
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张宝林. GaInSb/GaSb量子阱结构的低温光致发光谱[J]. 发光学报, 1999,20(2): 184-187
Zhang Baolin. PHOTOLUMINESCENCE OF GaInSb/GaSb QUANTUM WELL STRUCTURES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(2): 184-187
张宝林. GaInSb/GaSb量子阱结构的低温光致发光谱[J]. 发光学报, 1999,20(2): 184-187 DOI:
Zhang Baolin. PHOTOLUMINESCENCE OF GaInSb/GaSb QUANTUM WELL STRUCTURES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(2): 184-187 DOI:
GaInSb三元合金半导体可用于制作工作于1.55~5.5μm波段范围的光电子器件。在光通讯方面
需要2.55μm波长的激光器和接收器
GaInSb半导体合金无疑是一种可选的材料。此外
这种材料也可用于制作高速电子器件
与GaAs基异质结构相比
GaInSb半导体带隙更窄
其电子有效质量更小
载流子迁移率更高
由这种材料和GaSb构成的异质结构及低维结构
更能提高器件性能.
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