多孔硅发光峰温度行为的研究

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多孔硅发光峰温度行为的研究

论文 | 更新时间：2020-08-11

- 多孔硅发光峰温度行为的研究
- INVESTIGATION OF TEMPERATURE DEPENDENCE OF PHOTOLUMINESCENCE PEAKS IN POROUS SILICON
- 发光学报 1999年20卷第3期页码：265-269
- 作者机构：
  
  1. 中国科学技术大学物理系, 安徽合肥 230026
  2. 曲阜师范大学物理系, 山东曲阜
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金
- DOI：
  中图分类号： O482.31
- 收稿：1998-05-31，
  
  纸质出版：1999-08-30
- 稿件说明：
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李清山, 马玉蓉, 方容川. 多孔硅发光峰温度行为的研究[J]. 发光学报, 1999,20(3): 265-269

LI Qingshan, MA Yurong, FANG Rongchuan. INVESTIGATION OF TEMPERATURE DEPENDENCE OF PHOTOLUMINESCENCE PEAKS IN POROUS SILICON[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(3): 265-269
李清山, 马玉蓉, 方容川. 多孔硅发光峰温度行为的研究[J]. 发光学报, 1999,20(3): 265-269 DOI：

LI Qingshan, MA Yurong, FANG Rongchuan. INVESTIGATION OF TEMPERATURE DEPENDENCE OF PHOTOLUMINESCENCE PEAKS IN POROUS SILICON[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(3): 265-269 DOI：

实验研究了多孔硅(Porous Silicon)光致发光峰随测量温度的变化

发现发光峰位随温度的移动与发光峰的能量有关.随温度升高

发光峰波长较长的样品它们的发光峰都移向高能

而发光峰能量较高的样品它们的发光峰都移向低能

发光峰波长位于740nm附近的样品

它们的发光峰与测量温度无关.对上述结果的起源作了讨论.

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