Si1-yCy合金的固相外延生长及其特性

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Si_1-yC_y合金的固相外延生长及其特性

论文 | 更新时间：2020-08-11

- Si_1-yC_y合金的固相外延生长及其特性
- SOLID PHASE EPITAXY OF Si_1-yC_y ALLOY AND ITS CHARACTERISTICS
- 发光学报 1999年20卷第1期页码：60-64
- 作者机构：
  
  中国科学院半导体研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1997-11-24，
  
  纸质出版：1999-02-28
- 稿件说明：
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于卓, 余金中, 成步文, 雷震霖, 李代宗, 王启明, 梁骏吾. Si1-yCy合金的固相外延生长及其特性[J]. 发光学报, 1999,20(1): 60-64

Yu Zhuo, Yu Jinzhong, Cheng Buwen, Lei Zhenlin, Li Daizong, Wang Qiming, Liang Junwu. SOLID PHASE EPITAXY OF Si1-yCy ALLOY AND ITS CHARACTERISTICS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(1): 60-64
于卓, 余金中, 成步文, 雷震霖, 李代宗, 王启明, 梁骏吾. Si1-yCy合金的固相外延生长及其特性[J]. 发光学报, 1999,20(1): 60-64 DOI：

Yu Zhuo, Yu Jinzhong, Cheng Buwen, Lei Zhenlin, Li Daizong, Wang Qiming, Liang Junwu. SOLID PHASE EPITAXY OF Si1-yCy ALLOY AND ITS CHARACTERISTICS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(1): 60-64 DOI：

采用固相外延的方法在Si(100)衬底上生长了C组分为0.5at.%的Si

1-y

合金

并对合金的质量及特性进行了测试分析。采用多重离子注入的方法

并利用SiO

做缓冲层

能够获得满意的C离子分布。小束流、长时间的注入方法能避免β-SiC相的出现

最大限度地抑制动态退火效应。对Si衬底进行非晶化预处理能显着提高代位C原子的比例。两步退火过程能有效地减少注入前沿的点缺陷

实现较好的外延生长

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