GS-MBE生长的GaP/Si的XPS研究

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论文 | 更新时间：2020-08-11

- GS-MBE生长的GaP/Si的XPS研究
- X-RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY STUDIES OF THE EPITAXIAL STRUCTURE GaP/Si GROWN BY GS MBE
- 发光学报 1998年19卷第2期页码：109-116
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院半导体研究所
  2. 北京师范大学分析测试中心
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1997-09-14，
  
  纸质出版：1998-05-30
- 稿件说明：
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吴正龙, 余金中, 成步文, 于卓, 李晓文, 王启明. GS-MBE生长的GaP/Si的XPS研究[J]. 发光学报, 1998,19(2): 109-116

Wu Zhenglong, Yu Jinzhong, Chen Buwen, Yu Zhuo, Li Xiaowen, Wang Qiming. X-RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY STUDIES OF THE EPITAXIAL STRUCTURE GaP/Si GROWN BY GS MBE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1998,19(2): 109-116
吴正龙, 余金中, 成步文, 于卓, 李晓文, 王启明. GS-MBE生长的GaP/Si的XPS研究[J]. 发光学报, 1998,19(2): 109-116 DOI：

Wu Zhenglong, Yu Jinzhong, Chen Buwen, Yu Zhuo, Li Xiaowen, Wang Qiming. X-RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY STUDIES OF THE EPITAXIAL STRUCTURE GaP/Si GROWN BY GS MBE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1998,19(2): 109-116 DOI：

利用X射线光电子能谱(XPS)深度剖析方法对气体源分子束外延(GS-MBE)生长的GaP/Si异质结构进行了详细的分析.其结果表明:(1)外延层内Ga、P光电子峰与GaP相相符

且组份分布均匀

为正化学比GaP.(2)在不同富PH

流量条件下生长的样品

其表面富P量稍有不同

而GaP外延层内的测试结果相同.界面也未见有P的富集.(3)XPS剖析至GaP/Si界面附近

随外延层界面向衬底过渡

Si2p光电子峰向高结合能方向移动

且其结合能高于原衬底p型Si

接近于n型Si.但Ga、P光电子峰未发现有明显能移.(4)在XPS检测限内

外延层内和界面都未见有C、O等沾污.这一研究表明:无污染的本底超高真空、相对过剩的富

生长环境、成功的Si衬底清洗方法等措施保证了GS-MBE生长出正化学比GaP/Si外延异质结构.

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