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中子辐照GaAs快速退火行为的低温光荧光研究
论文 | 更新时间：2020-08-11

    • 中子辐照GaAs快速退火行为的低温光荧光研究

    • PHOTOLUMINESCENCE OF DEFECTS IN NEUTRON IRRADIATED SI-GaAs

    • 发光学报   1998年19卷第1期 页码：50-55

    • 收稿：1997-05-19，

      纸质出版：1998-02-28

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  • 刘健, 王佩璇. 中子辐照GaAs快速退火行为的低温光荧光研究[J]. 发光学报, 1998,19(1): 50-55 DOI：

    Liu Jian, Wang Peixuan. PHOTOLUMINESCENCE OF DEFECTS IN NEUTRON IRRADIATED SI-GaAs[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1998,19(1): 50-55 DOI：

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